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ウエハ型セラミックタイプ(Si基板)変色の温度依存性

ウエハ型

PLAZMARK® ウエハ型セラミック φ4インチシリコン基板

Arプラズマ処理

 

O2プラズマ処理

 

PLAZMARK®ウエハ型セラミックタイプを400℃加熱しながらプラズマ処理した場合、Arプラズマでは変色色差は小さくなる傾向が見られ、O2プラズマでは変色色差が大きくなる傾向が見られた。

変色の温度依存性はあるが、400℃でもインジケータとして使用可能であることを確認した。