Technical Data
技術データウエハ型セラミックタイプ（Si基板）変色の温度依存性
PLAZMARK® ウエハ型セラミック φ4インチシリコン基板
Arプラズマ処理
O2プラズマ処理
PLAZMARK®ウエハ型セラミックタイプを400℃加熱しながらプラズマ処理した場合、Arプラズマでは変色色差は小さくなる傾向が見られ、O2プラズマでは変色色差が大きくなる傾向が見られた。
変色の温度依存性はあるが、400℃でもインジケータとして使用可能であることを確認した。
記事で紹介した商品
常圧処理工程 / 洗浄工程向け
PLAZMARK® ウエハ型
ご使用の基板と同じ形状のインジケータを用いることにより、普段と同じハンドリングで、装置に設置でき、簡単に面内分布を可視化できます。放出ガスを低減し、清浄性を高めています。
